SAMSUNG MZ-QL296000

SSD Samsung 2TB (gama 870 EVO). Disco duro 2,5" de altas prestaciones, con tasa de lectura/escritura superiores a los 600MB/seg. Interface SATA III. 5 años de garantía.

SSD Samsung 4TB (gama 870 EVO). Disco duro 2,5" de altas prestaciones, con tasa de lectura/escritura superiores a los 600MB/seg. Interface SATA III. 5 años de garantía.

Arquitectura 3D V-NAND. Las memorias 3D V-NAND se fabrican apilando verticalmente 32 capas de celdas. Así, se consigue mayor densidad y rendimiento con un menor consumo energético.
La unidad SSD 850 PRO de Samsung te proporciona una velocidad de escritura en su modelo de 128 GB* que supera con creces los 80 MB/s de otros modelos.
Incrementa el rendimiento cuando lo necesites con el modo Rapid. El software Magician de tu unidad SSD te ofrece un rendimiento hasta 1,8 superiores al procesado de datos al utilizar la memoria DRAM libre de tu ordenador como memoria caché.
Tiene el doble de resistencia que el modelo anterior, lo que la convierte en mucho más duradera.

Categoría: usado.

SSD Samsung 3,84TB (gama PM9A3). Disco SSD 2,5" de altas prestaciones, con tasas de lectura/escritura de 6900MBps (lectura) y 4100MBps (escritura). Interface U.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe). 5 años de garantía.

SSD Samsung 7,68TB (gama PM9A3). Disco SSD 2,5" de altas prestaciones, con tasas de lectura/escritura de 6700MBps (lectura) y 4000MBps (escritura). Interface U.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe). 5 años de garantía.

El Samsung 990 PRO es una almacenamiento en estado sólido con una capacidad de 2 TB y una velocidad de 7250 MBps/lectura y 6900 MBps de escritura. La unidad ofrece interfaces PCI Express 4.0 y 5.0. 5 años.

El Samsung 990 PRO es una almacenamiento en estado sólido con una capacidad de 4 TB y una velocidad de 7250 MBps/lectura y 6900 MBps de escritura. La unidad ofrece interfaces PCI Express 4.0 y 5.0. 5 años.

El Samsung 9100 PRO MZ-VAP8T0 8TB es una unidad SSD NVMe en formato M.2 2280, basada en interfaz PCIe 5.0 x4 y compatible con el estándar NVMe 2.0. Emplea memoria Samsung V-NAND TLC de última generación (≈236 capas) junto a un controlador propietario de alto rendimiento y caché DRAM LPDDR4X (hasta 8 GB en esta capacidad), integrando además tecnologías como Intelligent TurboWrite 2.0, TRIM, S.M.A.R.T. y cifrado hardware AES de 256 bits. Está diseñado para cargas intensivas en entornos de alto rendimiento (workstations, gaming extremo y creación de contenido), con una resistencia declarada de 4.800 TBW y MTBF de 1,5 millones de horas.

En términos de prestaciones, alcanza velocidades secuenciales de hasta 14.800 MB/s en lectura y 13.400 MB/s en escritura, con rendimiento aleatorio de hasta ~2,2 M IOPS en lectura y ~2,6 M IOPS en escritura, situándose entre las soluciones más rápidas del mercado PCIe Gen5. Su consumo y disipación térmica son relevantes en este segmento, por lo que suele integrarse con disipador, manteniendo un rango operativo típico de 0–70 °C. En conjunto, representa una plataforma de almacenamiento de muy alta velocidad orientada a maximizar ancho de banda y latencia mínima en sistemas compatibles con PCIe 5.0. 5 años de garantía.